[서울=RNX뉴스] 박지훈 기자 = 도시바 일렉트로닉 디바이스 앤 스토리지(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)가 저전압 U-MOS IX-H N-채널 전력 MOSFET(금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터) 시리즈에 추가하여 100V 신제품 ‘TPH3R70APL’ 및 ‘TPN1200APL’을 18일 출시했다. 이 신제품은 산업장비의 전원 장치 애플리케이션에 적합하다. 
  

‘TPH3R70APL’과 ‘TPN1200APL’은 요소 구성을 최적화하는 회사의 최신 저전압 U-MOS IX-H트렌치(trench) 공정 기술을 적용하여 제작했기 때문에 온-저항(On-resistance)이 업계 최저이다[1]. 또한 U-MOS VIII-H 공정 기술을 적용한 기존 제품에 비해 이들 신제품은 스위칭 애플리케이션 용 MOSFET 가치의 주요 수치를 나타내는 온-저항 출력 방전 횟수(On-resistance times output charge)인 ‘RDS(ON)×Qoss’와 온-저항 게이트 스위치 방전 횟수(On-resistance times gate switch charge)인 ‘RDS(ON)×QSW’가 적다[2]. 
  
도시바 일렉트로닉 디바이스 앤 스토리지는 시장 추세에 따라 전원 장치의 효율성을 향상시키기 위해 MOSFET 포트폴리오를 지속적으로 확대할 예정이다.